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动力電(diàn)池保護闆的(de)基本(běn)測試方(fāng)法(fǎ)
信(xìn)息来(lái)源:武漢格瑞斯新(xīn)能(néng)源科技有限公(gōng)司 發(fà)布(bù)时(shí)間(jiān):2018-10-09 10:44 浏覽次(cì)數:次(cì)

  由(yóu)于(yú)近(jìn)幾(jǐ)年(nián)的(de)动力锂電(diàn)池的(de)飞速發(fà)展(zhǎn),無論是(shì)生(shēng)産工藝還(huán)是(shì)材料技術(shù)改進(jìn)上(shàng),或(huò)价格的(de)優勢,都有相當大(dà)的(de)突破,因此(cǐ)它也(yě)为多(duō)並(bìng)多(duō)串打(dǎ)下坚實(shí)的(de)基础。替代(dài)铅(qiān)酸(suān)電(diàn)池的(de)时(shí)代(dài)越来(lái)越近(jìn)。無論電(diàn)动自(zì)行車還(huán)是(shì)後(hòu)备電(diàn)源,它的(de)市(shì)场(chǎng)占有率自(zì)然也(yě)開(kāi)始(shǐ)瘋狂擴大(dà),这(zhè)是(shì)不(bù)可(kě)否認的(de)事(shì)實(shí)。那(nà)麼(me),为了電(diàn)池的(de)安(ān)全(quán)與(yǔ)壽命,锂電(diàn)池的(de)有效保護自(zì)然也(yě)少(shǎo)不(bù)了,此(cǐ)时(shí)保護闆在(zài)電(diàn)池包(bāo)內(nèi)也(yě)是(shì)一(yī)个(gè)非常核心(xīn)的(de)部(bù)件(jiàn)之(zhī)一(yī)。

  理(lǐ)論上(shàng)来(lái)講,动力多(duō)串電(diàn)池保護闆已經(jīng)沒(méi)有太多(duō)的(de)電(diàn)子技術(shù)含量(liàng)了,比如(rú)電(diàn)路(lù)與(yǔ)软(ruǎn)件(jiàn)處(chù)理(lǐ),有太多(duō)的(de)選擇。其(qí)主(zhǔ)要(yào)是(shì)把(bǎ)保護部(bù)分(fēn)如(rú)何做到(dào)穩定(dìng),可(kě)靠,更(gèng)安(ān)全(quán),更(gèng)實(shí)用(yòng),當然价格也(yě)是(shì)其(qí)中(zhōng)之(zhī)一(yī)。想(xiǎng)要(yào)真(zhēn)正(zhèng)的(de)想(xiǎng)把(bǎ)它做好,那(nà)是(shì)一(yī)件(jiàn)非常複雜细(xì)心(xīn)而(ér)又漫长的(de)輪回(huí)工作。如(rú)果要(yào)按經(jīng)验(yàn)與(yǔ)技術(shù)值的(de)占比比值的(de)話(huà),技術(shù)只(zhī)占20% 。經(jīng)验(yàn)要(yào)占到(dào)80% 。做好动力電(diàn)池保護闆沒(méi)有个(gè)三(sān)五(wǔ)年(nián)的(de)經(jīng)验(yàn),還(huán)是(shì)有困難的(de)。當然做好與(yǔ)能(néng)做是(shì)两(liǎng)回(huí)事(shì)。为什(shén)麼(me)会(huì)有这(zhè)樣(yàng)的(de)結論呢?这(zhè)是(shì)有依據(jù)的(de)。说(shuō)實(shí)話(huà),保護闆的(de)方(fāng)案(àn)電(diàn)路(lù)並(bìng)不(bù)複雜,只(zhī)要(yào)在(zài)電(diàn)池電(diàn)子行业工作了一(yī)两(liǎng)年(nián),設計(jì)个(gè)電(diàn)路(lù)與(yǔ)抄襲人(rén)家(jiā)一(yī)个(gè)電(diàn)路(lù)不(bù)是(shì)什(shén)麼(me)難事(shì)。比如(rú):多(duō)串动力電(diàn)池他(tā)主(zhǔ)要(yào)是(shì)高(gāo)電(diàn)壓,大(dà)電(diàn)流,高(gāo)內(nèi)阻工作(微電(diàn)流),電(diàn)池包(bāo)工作环(huán)境的(de)考量(liàng)等等,这(zhè)都牽扯到(dào)多(duō)年(nián)的(de)電(diàn)子專业綜合經(jīng)验(yàn)。大(dà)到(dào)要(yào)对(duì)整个(gè)PACK的(de)了解(jiě),小到(dào)一(yī)个(gè)電(diàn)阻,電(diàn)容或(huò)晶體(tǐ)管(guǎn)的(de)選型,或(huò)是(shì)布(bù)闆时(shí)的(de)注意(yì)细(xì)节(jié)。總(zǒng)的(de)一(yī)句(jù)話(huà),保護闆主(zhǔ)要(yào)是(shì)穩定(dìng),可(kě)靠,安(ān)全(quán)的(de)保護電(diàn)池組,保證電(diàn)池組的(de)正(zhèng)常安(ān)全(quán)使用(yòng)或(huò)使用(yòng)得更(gèng)久,其(qí)它添加的(de)特有技術(shù)與(yǔ)功能(néng),都是(shì)浮雲(yún)。下面(miàn)我(wǒ)们来(lái)讨論一(yī)下。

  动力電(diàn)池保護闆,顧名(míng)思(sī)義,它是(shì)用(yòng)来(lái)保護電(diàn)池不(bù)讓損壞與(yǔ)延长電(diàn)池的(de)使用(yòng)壽命。而(ér)且(qiě)它只(zhī)在(zài)電(diàn)池出(chū)現(xiàn)极(jí)端问題(tí)的(de)情(qíng)況下作出(chū)最(zuì)穩定(dìng)最(zuì)有效的(de)保護防止出(chū)現(xiàn)意(yì)外。平时(shí)不(bù)应該动作,當然,監視工作是(shì)必須要(yào)的(de),就(jiù)像我(wǒ)们的(de)家(jiā)用(yòng)電(diàn)器中(zhōng)的(de)保險丝(sī)或(huò)保險開(kāi)關(guān)一(yī)樣(yàng)。

  保護項目及(jí)注意(yì)事(shì)項

  1.電(diàn)壓保護:过充,过放(fàng),这(zhè)要(yào)根(gēn)據(jù)電(diàn)池的(de)材料不(bù)同而(ér)有所(suǒ)改變(biàn),这(zhè)點(diǎn)看(kàn)似简单,但要(yào)细(xì)节(jié)上(shàng)来(lái)看(kàn),還(huán)是(shì)有經(jīng)验(yàn)學(xué)问的(de)。

  过充保護,在(zài)我(wǒ)们以往的(de)单节(jié)電(diàn)池保護電(diàn)壓都会(huì)高(gāo)出(chū)電(diàn)池充飽電(diàn)壓50~150mV。但是(shì)动力電(diàn)池不(bù)一(yī)樣(yàng),如(rú)果你要(yào)想(xiǎng)延长電(diàn)池壽命,你的(de)保護電(diàn)壓就(jiù)選擇電(diàn)池的(de)充飽電(diàn)壓,甚至(zhì)還(huán)要(yào)比此(cǐ)電(diàn)壓還(huán)低(dī)些。比如(rú)錳锂電(diàn)池,可(kě)以選擇4.18V~4.2V。因为它是(shì)多(duō)串數的(de),整个(gè)電(diàn)池組的(de)壽命容量(liàng)主(zhǔ)要(yào)是(shì)以容量(liàng)最(zuì)低(dī)的(de)那(nà)颗(kē)電(diàn)池以準,小容的(de)總(zǒng)是(shì)在(zài)大(dà)電(diàn)流高(gāo)電(diàn)壓工作,所(suǒ)以衰減加快(kuài)。而(ér)大(dà)容量(liàng)每次(cì)都是(shì)輕(qīng)充輕(qīng)放(fàng),自(zì)然衰減要(yào)慢(màn)得多(duō)了。为了讓小容量(liàng)的(de)電(diàn)池也(yě)是(shì)輕(qīng)充輕(qīng)放(fàng),所(suǒ)以过充保護電(diàn)壓點(diǎn)不(bù)要(yào)選擇太高(gāo)。这(zhè)个(gè)保護延时(shí)可(kě)以做到(dào)1S,防止脉沖的(de)影響從而(ér)保護。

  过放(fàng)保護,也(yě)是(shì)與(yǔ)電(diàn)池的(de)材料有關(guān),如(rú)錳锂電(diàn)池一(yī)般選擇在(zài)2.8V~3.0V。盡量(liàng)要(yào)比它单颗(kē)電(diàn)池过放(fàng)的(de)電(diàn)壓稍高(gāo)點(diǎn)。因为,在(zài)国內(nèi)生(shēng)産的(de)電(diàn)池,電(diàn)池電(diàn)壓低(dī)于(yú)3.3V後(hòu),各(gè)颗(kē)電(diàn)池的(de)放(fàng)電(diàn)特性(xìng)完全(quán)不(bù)一(yī),因此(cǐ)是(shì)提(tí)前(qián)保護電(diàn)池,这(zhè)樣(yàng)对(duì)電(diàn)池的(de)壽命是(shì)一(yī)个(gè)很好的(de)保護。

  總(zǒng)的(de)一(yī)點(diǎn)就(jiù)是(shì)盡量(liàng)讓每一(yī)颗(kē)電(diàn)池都工作在(zài)輕(qīng)充輕(qīng)放(fàng)下工作,一(yī)定(dìng)是(shì)对(duì)電(diàn)池的(de)壽命是(shì)一(yī)个(gè)幫助。

  过放(fàng)保護延滞时(shí)間(jiān),它要(yào)根(gēn)據(jù)負载(zài)的(de)不(bù)同而(ér)有所(suǒ)改變(biàn),比如(rú)電(diàn)动工具類(lèi)的(de),他(tā)的(de)啟动電(diàn)流一(yī)般都在(zài)10C以上(shàng),因此(cǐ)会(huì)在(zài)短时(shí)間(jiān)內(nèi)把(bǎ)電(diàn)池的(de)電(diàn)壓拉到(dào)过放(fàng)電(diàn)壓點(diǎn)從而(ér)保護。此(cǐ)时(shí)無法(fǎ)讓電(diàn)池工作。这(zhè)是(shì)值得注意(yì)的(de)地(dì)方(fāng)。

  2.電(diàn)流保護:它主(zhǔ)要(yào)體(tǐ)現(xiàn)在(zài)工作電(diàn)流與(yǔ)过電(diàn)流使開(kāi)關(guān)MOS斷開(kāi)從而(ér)保護電(diàn)池組或(huò)負载(zài)。

  MOS管(guǎn)的(de)損壞主(zhǔ)要(yào)是(shì)温(wēn)度急劇升(shēng)高(gāo),它的(de)發(fà)热(rè)也(yě)是(shì)電(diàn)流的(de)大(dà)小及(jí) 本(běn)身的(de)內(nèi)阻来(lái)決定(dìng)的(de),當然小電(diàn)流,对(duì)MOS沒(méi)什(shén)麼(me)影響,但是(shì)大(dà)電(diàn)流呢,这(zhè)个(gè)就(jiù)要(yào)好好做些處(chù)理(lǐ)了, 在(zài)通(tòng)过額定(dìng)電(diàn)流时(shí),小電(diàn)流10A以下,我(wǒ)们可(kě)以直(zhí)接用(yòng)電(diàn)壓来(lái)驅动MOS管(guǎn)。大(dà)電(diàn)流,一(yī)定(dìng)是(shì)要(yào)加驅动,給(gěi)MOS足够大(dà)的(de)驅动電(diàn)流。以下在(zài)MOS管(guǎn)驅动有講到(dào)

  工作電(diàn)流,在(zài)設計(jì)的(de)时(shí)候,MOS管(guǎn)上(shàng)不(bù)能(néng)存在(zài)超过0.3W的(de)功率。計(jì)算工式:I2*R/N。R为MOS的(de)內(nèi)阻,N为MOS的(de)數量(liàng)。如(rú)果功率超过,MOS会(huì)産生(shēng)25度以上(shàng)的(de)温(wēn)升(shēng),又因它们都是(shì)密封(fēng)的(de),就(jiù)算有散热(rè)片(piàn),长时(shí)間(jiān)工作时(shí),温(wēn)度還(huán)是(shì)会(huì)上(shàng)去(qù),因为他(tā)沒(méi)地(dì)方(fāng)可(kě)散热(rè)。當然MOS管(guǎn)是(shì)沒(méi)任何问題(tí),问題(tí)是(shì)他(tā)産生(shēng)热(rè)量(liàng)会(huì)影響到(dào)電(diàn)池,畢竟保護闆是(shì)與(yǔ)電(diàn)池放(fàng)在(zài)一(yī)起(qǐ)的(de)。

  过流保護(最(zuì)大(dà)電(diàn)流),此(cǐ)項是(shì)保護闆必不(bù)可(kě)少(shǎo)的(de),非常關(guān)鍵的(de)一(yī)个(gè)保護參數。保護電(diàn)流的(de)大(dà)小與(yǔ)MOS的(de)功率息息相關(guān),因此(cǐ)在(zài)設計(jì)时(shí),要(yào)盡量(liàng)給(gěi)出(chū)MOS能(néng)力的(de)餘量(liàng)。在(zài)布(bù)闆的(de)时(shí)候,電(diàn)流檢測點(diǎn)一(yī)定(dìng)要(yào)選好位(wèi)置,不(bù)能(néng)只(zhī)接通(tòng)就(jiù)行,这(zhè)需要(yào)經(jīng)验(yàn)值。一(yī)般建議接在(zài)檢測電(diàn)阻的(de)中(zhōng)間(jiān)端。還(huán)要(yào)注意(yì)電(diàn)流檢測端的(de)干(gàn)擾问題(tí),因为它的(de)信(xìn)号(hào)很容易受到(dào)干(gàn)擾。

  过流保護延时(shí),它也(yě)是(shì)要(yào)根(gēn)不(bù)同的(de)産品做相应的(de)調整。在(zài)此(cǐ)不(bù)多(duō)说(shuō)了。

  3.短路(lù)保護:嚴格来(lái)講,他(tā)是(shì)一(yī)个(gè)電(diàn)壓比較型的(de)保護,也(yě)就(jiù)是(shì)講是(shì)用(yòng)電(diàn)壓的(de)比較直(zhí)接關(guān)斷或(huò)驅动的(de),不(bù)要(yào)經(jīng)过多(duō)餘的(de)處(chù)理(lǐ)。

  短路(lù)延时(shí)的(de)設置也(yě)很關(guān)鍵,因为在(zài)我(wǒ)们的(de)産品中(zhōng),输入滤波(bō)電(diàn)容都是(shì)很大(dà)的(de),在(zài)接觸时(shí)第(dì)一(yī)时(shí)間(jiān)給(gěi)電(diàn)容充電(diàn),此(cǐ)时(shí)就(jiù)相當于(yú)電(diàn)池短路(lù)来(lái)給(gěi)電(diàn)容充電(diàn)。

  4.温(wēn)度保護:一(yī)般在(zài)智能(néng)電(diàn)池上(shàng)都会(huì)用(yòng)到(dào),也(yě)是(shì)不(bù)可(kě)少(shǎo)的(de)。但往往它的(de)完美(měi)總(zǒng)会(huì)带来(lái)另(lìng)一(yī)方(fāng)面(miàn)的(de)不(bù)足。我(wǒ)们主(zhǔ)要(yào)是(shì)檢測電(diàn)池的(de)温(wēn)度来(lái)斷開(kāi)總(zǒng)開(kāi)關(guān)来(lái)保護電(diàn)池本(běn)身或(huò)負载(zài)。如(rú)果是(shì)在(zài)一(yī)个(gè)恒定(dìng)的(de)环(huán)境条(tiáo)件(jiàn)下,當然不(bù)会(huì)有什(shén)麼(me)问題(tí)。由(yóu)于(yú)電(diàn)池的(de)工作环(huán)境是(shì)我(wǒ)们不(bù)可(kě)控的(de),太多(duō)太複雜的(de)變(biàn)化(huà),因此(cǐ)不(bù)好選擇。如(rú)在(zài)北(běi)方(fāng)的(de)冬天(tiān),我(wǒ)们定(dìng)在(zài)多(duō)少(shǎo)合适?又如(rú)夏天(tiān)的(de)南(nán)方(fāng)地(dì)區(qū),又定(dìng)多(duō)少(shǎo)合适?顯然范圍太宽(kuān)不(bù)可(kě)控的(de)因素太多(duō),仁者(zhě)見(jiàn)仁,智者(zhě)見(jiàn)智的(de)去(qù)選擇了。

  5.MOS保護:主(zhǔ)要(yào)是(shì)MOS的(de)電(diàn)壓,電(diàn)流與(yǔ)温(wēn)度。當然就(jiù)是(shì)牽扯到(dào)MOS管(guǎn)的(de)選型了。MOS的(de)耐壓當然要(yào)超过電(diàn)池組的(de)電(diàn)壓,这(zhè)是(shì)必須的(de)。電(diàn)流講的(de)是(shì)在(zài)通(tòng)过額定(dìng)電(diàn)流时(shí)MOS管(guǎn)體(tǐ)上(shàng)的(de)温(wēn)升(shēng)了一(yī)般不(bù)超过25度的(de)温(wēn)升(shēng),个(gè)人(rén)經(jīng)验(yàn)值,只(zhī)供參考。

  MOS的(de)驅动,也(yě)許会(huì)有的(de)人(rén)会(huì)講,我(wǒ)有用(yòng)低(dī)內(nèi)阻大(dà)電(diàn)流的(de)MOS管(guǎn),但为何還(huán)有蠻高(gāo)的(de)温(wēn)度?这(zhè)是(shì)MOS管(guǎn)的(de)驅动部(bù)分(fēn)沒(méi)有做好,驅动MOS要(yào)有足够大(dà)的(de)電(diàn)流,具體(tǐ)多(duō)大(dà)的(de)驅动電(diàn)流,要(yào)根(gēn)據(jù)功率MOS管(guǎn)的(de)输入電(diàn)容来(lái)定(dìng)。因此(cǐ),一(yī)般的(de)过流與(yǔ)短路(lù)驅动都不(bù)能(néng)用(yòng)芯片(piàn)直(zhí)接驅动,一(yī)定(dìng)要(yào)外加。在(zài)大(dà)電(diàn)流(超过50A)工作时(shí),一(yī)定(dìng)要(yào)做到(dào)多(duō)級多(duō)路(lù)驅动,才能(néng)保證MOS的(de)同一(yī)时(shí)間(jiān)同一(yī)電(diàn)流正(zhèng)常打(dǎ)開(kāi)與(yǔ)關(guān)閉。因为MOS管(guǎn)有一(yī)个(gè)输入電(diàn)容, MOS管(guǎn)功率,電(diàn)流越大(dà),输入電(diàn)容也(yě)就(jiù)越大(dà),如(rú)果沒(méi)有足够的(de)電(diàn)流,不(bù)会(huì)在(zài)短时(shí)間(jiān)做出(chū)完整的(de)控制。尤其(qí)是(shì)電(diàn)流超过50A时(shí),電(diàn)流設計(jì)上(shàng)更(gèng)要(yào)细(xì)化(huà),一(yī)定(dìng)要(yào)做到(dào)多(duō)級多(duō)路(lù)驅动控制。这(zhè)樣(yàng)才能(néng)保證MOS的(de)正(zhèng)常过流與(yǔ)短路(lù)保護。

  MOS電(diàn)流平衡,主(zhǔ)要(yào)講的(de)是(shì)多(duō)颗(kē)MOS並(bìng)起(qǐ)来(lái)用(yòng)时(shí),要(yào)讓每一(yī)颗(kē)MOS管(guǎn)通(tòng)过的(de)電(diàn)流,打(dǎ)開(kāi)與(yǔ)關(guān)閉时(shí)間(jiān)都是(shì)一(yī)致(zhì)的(de)。这(zhè)就(jiù)要(yào)在(zài)画(huà)闆方(fāng)面(miàn)入手(shǒu)了,它们的(de)输入输出(chū)一(yī)定(dìng)要(yào)对(duì)稱,一(yī)定(dìng)要(yào)保證每一(yī)个(gè)管(guǎn)子通(tòng)过的(de)電(diàn)流是(shì)一(yī)致(zhì)这(zhè)才是(shì)目的(de)。

  6.自(zì)耗電(diàn)量(liàng), 这(zhè)个(gè)參數是(shì)越小越好,最(zuì)理(lǐ)想(xiǎng)的(de)狀态是(shì)为零(líng),但不(bù)可(kě)能(néng)做到(dào)这(zhè)一(yī)點(diǎn)。就(jiù)是(shì)因为人(rén)人(rén)都想(xiǎng)把(bǎ)这(zhè)个(gè)參數做小,有很多(duō)人(rén)的(de)要(yào)求更(gèng)低(dī),甚至(zhì)離譜,我(wǒ)们想(xiǎng)想(xiǎng),保護闆上(shàng)有芯片(piàn),它们是(shì)要(yào)工作的(de),可(kě)以做到(dào)很低(dī),但是(shì)可(kě)靠性(xìng)呢?应該是(shì)在(zài)性(xìng)能(néng)可(kě)靠完全(quán)OK的(de)情(qíng)況下再来(lái)考量(liàng)自(zì)耗電(diàn)的(de)问題(tí)。有些朋友也(yě)許進(jìn)入了誤區(qū),自(zì)耗電(diàn)分(fēn)为整體(tǐ)的(de)自(zì)耗電(diàn)和(hé)每一(yī)串的(de)自(zì)耗電(diàn)。

  整體(tǐ)自(zì)耗電(diàn),如(rú)果在(zài)100~500uA都是(shì)沒(méi)什(shén)麼(me)问題(tí)的(de),因为动力電(diàn)池的(de)容量(liàng)本(běn)身就(jiù)很大(dà)。當然電(diàn)动工具的(de)另(lìng)外分(fēn)析。如(rú)5AH的(de)電(diàn)池,放(fàng)電(diàn)500uA,要(yào)放(fàng)多(duō)久,因此(cǐ)对(duì)整个(gè)電(diàn)池組来(lái)講是(shì)很微弱(ruò)的(de)。

  每串自(zì)耗電(diàn)才最(zuì)關(guān)鍵的(de),这(zhè)个(gè)也(yě)不(bù)可(kě)能(néng)为零(líng),當然也(yě)是(shì)在(zài)性(xìng)能(néng)完全(quán)可(kě)行情(qíng)況下進(jìn)行,但有一(yī)點(diǎn),每一(yī)串的(de)自(zì)耗電(diàn)量(liàng)一(yī)定(dìng)要(yào)一(yī)致(zhì),一(yī)般每一(yī)串的(de)差别不(bù)能(néng)超过5uA。这(zhè)點(diǎn)大(dà)家(jiā)应該知道(dào),如(rú)果每一(yī)串的(de)自(zì)耗電(diàn)不(bù)一(yī)时(shí),那(nà)麼(me)在(zài)长时(shí)間(jiān)擱置下,電(diàn)池的(de)容量(liàng)一(yī)定(dìng)会(huì)産生(shēng)變(biàn)化(huà)的(de)。

  7.均衡:均衡这(zhè)一(yī)块(kuài)是(shì)此(cǐ)文(wén)章(zhāng)的(de)論述的(de)重點(diǎn)。目前(qián)最(zuì)通(tòng)用(yòng)的(de)均衡方(fāng)式分(fēn)为两(liǎng)種(zhǒng),一(yī)種(zhǒng)就(jiù)是(shì)耗能(néng)式的(de),另(lìng)一(yī)種(zhǒng)就(jiù)是(shì)转能(néng)式的(de)。

  A耗能(néng)式均衡,主(zhǔ)要(yào)是(shì)把(bǎ)多(duō)串電(diàn)池中(zhōng)某节(jié)電(diàn)池的(de)電(diàn)量(liàng)或(huò)電(diàn)壓高(gāo)的(de)用(yòng)電(diàn)阻把(bǎ)多(duō)餘的(de)電(diàn)能(néng)損耗掉。它也(yě)分(fēn)如(rú)下三(sān)種(zhǒng)。

  一(yī),充電(diàn)时(shí)时(shí)均衡,它主(zhǔ)要(yào)是(shì)在(zài)充電(diàn)时(shí)任何一(yī)颗(kē)電(diàn)池的(de)電(diàn)壓高(gāo)出(chū)所(suǒ)有電(diàn)池平均電(diàn)壓时(shí),它就(jiù)啟动均衡,無論電(diàn)池的(de)電(diàn)壓在(zài)什(shén)麼(me)范圍,它主(zhǔ)要(yào)是(shì)应用(yòng)在(zài)智能(néng)软(ruǎn)件(jiàn)方(fāng)案(àn)上(shàng)。當然如(rú)何定(dìng)義可(kě)以由(yóu)软(ruǎn)件(jiàn)任意(yì)調整。此(cǐ)方(fāng)案(àn)的(de)優點(diǎn)它能(néng)有更(gèng)多(duō)的(de)时(shí)間(jiān)去(qù)做電(diàn)池的(de)電(diàn)壓均衡。

  二(èr),電(diàn)壓定(dìng)點(diǎn)均衡,就(jiù)是(shì)把(bǎ)均衡啟动定(dìng)在(zài)一(yī)个(gè)電(diàn)壓點(diǎn)上(shàng),如(rú)錳锂電(diàn)池,很多(duō)就(jiù)定(dìng)在(zài)4.2V開(kāi)始(shǐ)均衡。这(zhè)種(zhǒng)方(fāng)式只(zhī)是(shì)在(zài)電(diàn)池充電(diàn)的(de)末端進(jìn)行,所(suǒ)以均衡时(shí)間(jiān)較短,用(yòng)處(chù)可(kě)想(xiǎng)而(ér)知。

  三(sān),静(jìng)态自(zì)动均衡,它也(yě)可(kě)以在(zài)充電(diàn)的(de)过程中(zhōng)進(jìn)行,也(yě)可(kě)以在(zài)放(fàng)電(diàn)时(shí)進(jìn)行,更(gèng)有特點(diǎn)的(de)是(shì),電(diàn)池在(zài)静(jìng)态擱置时(shí),如(rú)果電(diàn)壓不(bù)一(yī)致(zhì)时(shí),它也(yě)在(zài)均衡着,直(zhí)到(dào)電(diàn)池的(de)電(diàn)壓达(dá)到(dào)一(yī)致(zhì)。但有人(rén)認为,電(diàn)池都沒(méi)工作了,为什(shén)麼(me)保護闆還(huán)是(shì)在(zài)發(fà)热(rè)呢?

  以上(shàng)三(sān)種(zhǒng)方(fāng)式都以是(shì)參考電(diàn)壓来(lái)實(shí)現(xiàn)均衡的(de)。但是(shì),電(diàn)池電(diàn)壓高(gāo)不(bù)一(yī)定(dìng)代(dài)表(biǎo)容量(liàng)就(jiù)高(gāo),也(yě)許截然相反(fǎn)。以下論述。

  其(qí)優點(diǎn)就(jiù)是(shì)成(chéng)本(běn)低(dī),設計(jì)简单,在(zài)電(diàn)池電(diàn)壓不(bù)一(yī)致(zhì)时(shí)能(néng)起(qǐ)到(dào)一(yī)定(dìng)的(de)作用(yòng),主(zhǔ)要(yào)體(tǐ)現(xiàn)在(zài)電(diàn)池长时(shí)間(jiān)擱置自(zì)耗引起(qǐ)的(de)電(diàn)壓不(bù)一(yī)致(zhì)。理(lǐ)論上(shàng)是(shì)有微弱(ruò)的(de)可(kě)行性(xìng)。

 

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