CS350H電(diàn)化(huà)學(xué)工作站由(yóu)高(gāo)速MCU、高(gāo)精度FET集成(chéng)電(diàn)路(lù)組成(chéng)，內(nèi)置DDS數字(zì)信(xìn)号(hào)合成(chéng)器、高(gāo)功率恒電(diàn)位(wèi)/恒電(diàn)流儀、双(shuāng)通(tòng)道(dào)相關(guān)分(fēn)析器和(hé)双(shuāng)通(tòng)道(dào)高(gāo)速16bit /高(gāo)精度24bit AD转換器。能(néng)完成(chéng)線(xiàn)性(xìng)掃描伏安(ān)(LSV)、循环(huán)伏安(ān)(CV)、階(jiē)梯(tī)波(bō)循环(huán)伏安(ān)(SCV)、方(fāng)波(bō)循环(huán)伏安(ān)(SWV)、差分(fēn)脉沖伏安(ān)(DPV)和(hé)常規脉沖伏安(ān)(NPV)以及(jí)差分(fēn)常規脉沖伏安(ān)(DNPV)等電(diàn)分(fēn)析方(fāng)法(fǎ);還(huán)可(kě)以完成(chéng)恒電(diàn)流(位(wèi))极(jí)化(huà)、动電(diàn)位(wèi)(流)掃描、任意(yì)恒電(diàn)流(位(wèi))方(fāng)波(bō)，多(duō)恒電(diàn)流(位(wèi))階(jiē)躍、零(líng)電(diàn)阻電(diàn)流計(jì)、電(diàn)化(huà)學(xué)噪聲(電(diàn)偶電(diàn)流)、電(diàn)化(huà)學(xué)阻抗(EIS)等電(diàn)化(huà)學(xué)測試等功能(néng)，所(suǒ)有測量(liàng)功能(néng)均可(kě)定(dìng)时(shí)自(zì)动進(jìn)行，用(yòng)于(yú)無人(rén)值守下的(de)自(zì)动測量(liàng)。

　　CS350H電(diàn)化(huà)學(xué)工作站可(kě)用(yòng)于(yú)較大(dà)電(diàn)流和(hé)較高(gāo)槽壓的(de)電(diàn)化(huà)學(xué)測量(liàng)和(hé)应用(yòng)，例如(rú)電(diàn)池、電(diàn)分(fēn)析、腐蝕、電(diàn)解(jiě)、電(diàn)鍍等。儀器的(de)電(diàn)流输出(chū)范圍为±2A，槽壓为±21V。電(diàn)壓控制范圍：±10V;電(diàn)流控制范圍：±2.0A;電(diàn)流測量(liàng)下限为1pA。

　　CS Studio測試软(ruǎn)件(jiàn)是(shì)CS電(diàn)化(huà)學(xué)工作站的(de)控制平台(tái)，软(ruǎn)件(jiàn)基于(yú)Windows98/ 2000/ XP/win7/8/10操作系(xì)統，並(bìng)遵守Windows软(ruǎn)件(jiàn)設計(jì)規則，易于(yú)安(ān)裝(zhuāng)和(hé)使用(yòng)。软(ruǎn)件(jiàn)包(bāo)括文(wén)件(jiàn)管(guǎn)理(lǐ)、實(shí)验(yàn)方(fāng)法(fǎ)管(guǎn)理(lǐ)、多(duō)坐标(biāo)图(tú)形顯示和(hé)縮放(fàng)、數據(jù)/图(tú)形的(de)存贮/打(dǎ)印(yìn)以及(jí)交互式幫助等。软(ruǎn)件(jiàn)具有良好的(de)用(yòng)戶界面(miàn)，命令窗(chuāng)口(kǒu)所(suǒ)用(yòng)的(de)词(cí)彙與(yǔ)通(tòng)用(yòng)的(de)電(diàn)化(huà)學(xué)術(shù)語(yǔ)保持(chí)一(yī)致(zhì)，全(quán)中(zhōng)文(wén)菜单和(hé)界面(miàn)，方(fāng)便用(yòng)戶的(de)教學(xué)和(hé)科研工作。

　　CorrTest測試软(ruǎn)件(jiàn)還(huán)具有特别針(zhēn)对(duì)材料和(hé)腐蝕電(diàn)化(huà)學(xué)的(de)實(shí)验(yàn)方(fāng)法(fǎ)，包(bāo)括鈍化(huà)曲(qū)線(xiàn)自(zì)动或(huò)人(rén)工反(fǎn)掃，電(diàn)化(huà)學(xué)再活化(huà)法(fǎ)，溶液電(diàn)阻(IR降)測量(liàng)和(hé)補償法(fǎ)。CS Studio分(fēn)析软(ruǎn)件(jiàn)則具有完善的(de)數據(jù)分(fēn)析功能(néng)，可(kě)对(duì)伏安(ān)曲(qū)線(xiàn)進(jìn)行數字(zì)平滑、積分(fēn)、微分(fēn)運算，能(néng)对(duì)极(jí)化(huà)曲(qū)線(xiàn)進(jìn)行電(diàn)化(huà)學(xué)參數解(jiě)析，包(bāo)括极(jí)化(huà)電(diàn)阻Rp，Tafel斜率ba，bc，腐蝕電(diàn)流密度icorr，腐蝕速率計(jì)算等，還(huán)可(kě)計(jì)算噪聲電(diàn)阻Rn和(hé)功率譜，並(bìng)可(kě)将图(tú)形以矢量(liàng)方(fāng)式拷貝到(dào)Microsoft Word 文(wén)档中(zhōng)。

　　CS350H電(diàn)化(huà)學(xué)工作站全(quán)部(bù)采用(yòng)USB2.0接口(kǒu)與(yǔ)計(jì)算機(jī)通(tòng)訊，設备安(ān)裝(zhuāng)简单，即插即用(yòng)。

　　外形尺(chǐ)寸(cùn)：36.5cm(宽(kuān))x30.5cm(深)x16cm(高(gāo)) 儀器重量(liàng)：6.5Kg

　　应用(yòng)领域 :

　　1)研究電(diàn)化(huà)學(xué)機(jī)理(lǐ);物(wù)質(zhì)的(de)定(dìng)性(xìng)定(dìng)量(liàng)分(fēn)析;

　　2)常規電(diàn)化(huà)學(xué)測試，包(bāo)括電(diàn)合成(chéng)、電(diàn)鍍和(hé)電(diàn)池性(xìng)能(néng)評价;

　　3)功能(néng)和(hé)能(néng)源材料的(de)機(jī)理(lǐ)和(hé)制备研究;

　　4)緩蝕劑、水(shuǐ)質(zhì)穩定(dìng)劑、塗层(céng)以及(jí)陰极(jí)保護效率快(kuài)速評价以及(jí)氫滲測試等;

　　5)金(jīn)屬材料在(zài)導電(diàn)性(xìng)介質(zhì)(包(bāo)括水(shuǐ)/混凝土(tǔ)等环(huán)境)中(zhōng)的(de)腐蝕電(diàn)化(huà)學(xué)測試。

　　系(xì)統配置:

　　每套(tào)工作站包(bāo)括：

　　1) 儀器主(zhǔ)機(jī)1台(tái);

　　2) CS Studio測試與(yǔ)分(fēn)析软(ruǎn)件(jiàn)1套(tào);

　　3) 鉑金(jīn)輔助電(diàn)极(jí)、參比電(diàn)极(jí)、工作電(diàn)极(jí)各(gè)1支

　　4) 專用(yòng)電(diàn)解(jiě)池 1套(tào)

　　5) 模拟電(diàn)解(jiě)池1个(gè);

　　6) USB數據(jù)線(xiàn)1条(tiáo);

　　7) 電(diàn)极(jí)電(diàn)缆(lǎn)線(xiàn)1根(gēn);

　　8) 電(diàn)极(jí)架(選配*)

　　9) 屏蔽箱(xiāng)(選配*)

　　技術(shù)參數：

　　CS350電(diàn)化(huà)學(xué)工作站技術(shù)指标(biāo)

　　1、硬(yìng)件(jiàn)參數指标(biāo)：

　　恒電(diàn)位(wèi)儀電(diàn)位(wèi)控制范圍：±10V

　　電(diàn)流控制范圍：±2.0A

　　電(diàn)位(wèi)控制精度：0.1%×滿量(liàng)程读數±1mV

　　電(diàn)流控制精度：0.1%×滿量(liàng)程读數

　　電(diàn)位(wèi)分(fēn)辨率：10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)

　　電(diàn)流分(fēn)辨率：<1pA

　　電(diàn)位(wèi)上(shàng)升(shēng)时(shí)間(jiān)：<1μS(<10mA), <10μS(<2A)

　　輔助數據(jù)采集16位(wèi)@1MHz ,20bit@1KHz

　　參比電(diàn)极(jí)输入阻抗：1012 Ω||20pF

　　電(diàn)流量(liàng)程 2nA～2A, 共(gòng)10档

　　槽壓：±21V

　　CV 和(hé)LSV掃描速度：0.001mV～10,000V/s

　　CA和(hé)CC脉沖宽(kuān)度：0.0001～1000s

　　電(diàn)位(wèi)掃描时(shí)電(diàn)位(wèi)增量(liàng)：0.1mV@1V/mS

　　SWV頻率：0.001～100KHz

　　DPV和(hé)NPV脉沖宽(kuān)度：0.0001～1000s

　　AD數據(jù)采集：16位(wèi)@1MHz，24bit @100Hz

　　CV的(de)最(zuì)小電(diàn)位(wèi)增量(liàng)：0.075mV

　　電(diàn)位(wèi)和(hé)電(diàn)流測量(liàng)低(dī)通(tòng)滤波(bō)器:8段(duàn)可(kě)編程

　　電(diàn)流與(yǔ)電(diàn)位(wèi)量(liàng)程：自(zì)动設置

　　2、電(diàn)化(huà)學(xué)阻抗測量(liàng)指标(biāo)：

　　信(xìn)号(hào)發(fà)生(shēng)器

　　頻率響应：10μHz～1MHz

　　交流信(xìn)号(hào)幅值：1mV~2500mV

　　直(zhí)流偏壓：-10~+10V

　　DDS输出(chū)阻抗：50Ω

　　波(bō)形：正(zhèng)弦波(bō)，三(sān)角(jiǎo)波(bō)，方(fāng)波(bō)

　　正(zhèng)弦波(bō)失真(zhēn)：<1%

　　掃描方(fāng)式：对(duì)數/線(xiàn)性(xìng)，增加/下降

　　最(zuì)大(dà)負载(zài)電(diàn)容：1nF;最(zuì)大(dà)負载(zài)電(diàn)感(gǎn)：10uH

　　信(xìn)号(hào)分(fēn)析器

　　積分(fēn)时(shí)間(jiān)：最(zuì)小值：10mS 或(huò)者(zhě)一(yī)个(gè)循环(huán)的(de)最(zuì)长时(shí)間(jiān)

　　最(zuì)大(dà)值：106个(gè)循环(huán)或(huò)者(zhě)105S

　　測量(liàng)时(shí)間(jiān)延迟：0~105秒(miǎo)

　　直(zhí)流偏置補償

　　電(diàn)位(wèi)自(zì)动補償范圍：-10V~+10V

　　電(diàn)流補償范圍：-1A~+1A

　　带宽(kuān)調整(Bandwidth)：自(zì)动或(huò)手(shǒu)动設置，共(gòng)8級可(kě)調